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IGBT 高溫反偏試驗

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MOSEFT器件動靜態(tài)測試服務(wù)
規(guī)格環(huán)境A. 環(huán)境溫度: 25±10℃,B. 相對濕度: 濕度不大于 65%C. 大氣壓力: 86Kpa~ 106KpaD. 工作電壓:三相五線制 AC 380V
2023-04-24
IGBT模塊動靜態(tài)測試
設(shè)備簡述IGBT 高壓反偏試驗是在一定溫度條件(125℃)下,按照規(guī)定的時間和電壓,對 IGBT 施加反偏電壓,從而對器件進(jìn)行質(zhì)量檢驗
2023-04-24
雪崩耐量測試
概述雪崩耐量測試儀是測試 IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設(shè)備,能夠準(zhǔn)確快速的測試出 IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐
2023-04-24
IGBT 功率循環(huán)測試
述IGBT 功率循環(huán)測試系統(tǒng)測試方法符合 GB/T29332-2012/IEC 60747-9:2007 及GB4023-83 等相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。IGBT 功率循環(huán)測試設(shè)備,是 IG
2023-04-24
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